安森美代理为你介绍安森美半导体的电源方案

　　在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效一般为97%，LLC电路完成相似的功用。但是，用"图腾柱"装备的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功用，可削减电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET还是碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带开关。

　　新的NCP1680 CrM图腾柱PFC控制器选用新颖的电流约束架构和线路相位检测，同时结合经验证的控制算法，供给高性价比的图腾柱PFC方案，而不影响功用。该IC的中心是内部补偿数字环路控制。该立异器材选用含谷底开关的稳定导通时刻CrM架构。由于内置非接连导通模式(DCM)，在频率返走作业期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包含那些要求在轻载下供给高能效的标准。

　　该高度集成的器材可使电源规划在通用电源(90至265 Vac)下以高达350 W的建议功率水平作业。在230 Vac电源输入下，基于NCP1680的PFC电路可以在300 W完成近99%的能效。在外部只需几个简略的器材即可完成全功用图腾柱PFC，然后节省空间和器材本钱。进一步削减器材数，完成逐周期电流约束，无需霍尔效应传感器。

　　安森美半导体供给阵容广泛的SiC MOSFET，它们比硅MOSFET供给更高能效。低导通电阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷(Qg)，以在更小的系统尺寸中供给较高的能效，然后提高功率密度。