安森美代理为你介绍安森美半导体的电源方案
在传统的PFC电路中,整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W,占总损耗的20%左右。相比之下,PFC级的能效一般为97%,LLC电路完成相似的功用。但是,用"图腾柱"装备的开关取代有损耗的二极管,并拉入升压PFC功用,可削减电桥损耗,显著提高整体能效。此外,NCP1680可适用于任何开关类型,无论是超级结硅MOSFET还是碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带开关。
新的NCP1680 CrM图腾柱PFC控制器选用新颖的电流约束架构和线路相位检测,同时结合经验证的控制算法,供给高性价比的图腾柱PFC方案,而不影响功用。该IC的中心是内部补偿数字环路控制。该立异器材选用含谷底开关的稳定导通时刻CrM架构。由于内置非接连导通模式(DCM),在频率返走作业期间谷底同步导通,因此可满足现代能效标准,包含那些要求在轻载下供给高能效的标准。
该高度集成的器材可使电源规划在通用电源(90至265 Vac)下以高达350 W的建议功率水平作业。在230 Vac电源输入下,基于NCP1680的PFC电路可以在300 W完成近99%的能效。在外部只需几个简略的器材即可完成全功用图腾柱PFC,然后节省空间和器材本钱。进一步削减器材数,完成逐周期电流约束,无需霍尔效应传感器。
安森美半导体供给阵容广泛的SiC MOSFET,它们比硅MOSFET供给更高能效。低导通电阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷(Qg),以在更小的系统尺寸中供给较高的能效,然后提高功率密度。
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