安森美代理为您介绍安森美半导体推出的离线电源计划

　　在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效一般为97%，LLC电路完成类似的功能。但是，用"图腾柱"装备的开关替代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功用，可削减电桥损耗，显著进步整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET仍是碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带开关。

　　新的NCP1680 CrM图腾柱PFC操控器选用新颖的电流限制架构和线路相位检测，一同结合经验证的操控算法，供给高性价比的图腾柱PFC计划，而不影响功能。该IC的核心是内部补偿数字环路操控。该立异器材选用含谷底开关的恒定导通时间CrM架构。由于内置非连续导通模式(DCM)，在频率返走作业期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下供给高能效的标准。

　　根据图腾柱开关技术中，当中包括了高速半桥和低速半桥两路，其间在高速半桥上，NCP1680可与NCP51820半桥GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)门极驱动器或NCP51561阻隔型SiC MOSFET门极驱动器一同运用。

　　安森美半导体供给阵容广泛的SiC MOSFET，它们比硅MOSFET供给更高能效。低导通电阻(RDS(on))和细巧的芯片尺度保证低电容和门极电荷(Qg)，以在更小的体系尺度中供给较高的能效，然后进步功率密度。安森美半导体已发布选用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650 V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列。此外，安森美半导体供给完好的硅基650 V SUPERFET®III MOSFET产品组合。