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安森美代理为您介绍安森美半导体推出的离线电源计划

编辑:臻稼汇科技(惠州)有限公司时间:2021-08-09

  在传统的PFC电路中,整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W,占总损耗的20%左右。相比之下,PFC级的能效一般为97%,LLC电路完成类似的功能。但是,用"图腾柱"装备的开关替代有损耗的二极管,并拉入升压PFC功用,可削减电桥损耗,显著进步整体能效。此外,NCP1680可适用于任何开关类型,无论是超级结硅MOSFET仍是碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带开关。

  新的NCP1680 CrM图腾柱PFC操控器选用新颖的电流限制架构和线路相位检测,一同结合经验证的操控算法,供给高性价比的图腾柱PFC计划,而不影响功能。该IC的核心是内部补偿数字环路操控。该立异器材选用含谷底开关的恒定导通时间CrM架构。由于内置非连续导通模式(DCM),在频率返走作业期间谷底同步导通,因此可满足现代能效标准,包括那些要求在轻载下供给高能效的标准。

  根据图腾柱开关技术中,当中包括了高速半桥和低速半桥两路,其间在高速半桥上,NCP1680可与NCP51820半桥GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)门极驱动器或NCP51561阻隔型SiC MOSFET门极驱动器一同运用。

  安森美半导体供给阵容广泛的SiC MOSFET,它们比硅MOSFET供给更高能效。低导通电阻(RDS(on))和细巧的芯片尺度保证低电容和门极电荷(Qg),以在更小的体系尺度中供给较高的能效,然后进步功率密度。安森美半导体已发布选用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650 V SiC MOSFET,并将继续猛增该产品系列。此外,安森美半导体供给完好的硅基650 V SUPERFET®III MOSFET产品组合。

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