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Nexperia安世的MOS管参数怎么样看?

编辑:臻稼汇科技(惠州)有限公司时间:2020-11-30

  Nexperia安世的MOS管参数怎么样看?


  (1)MOS管主要参数饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使...


  (1)MOS管主要参数


  饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。


  夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。


  开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。


  (2)MOS管交流参数


  交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。


  低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。


  极间电容MSO管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。


  (3)MOS管极限参数


  ①大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值,


  ②大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子高工作温度的限制,


  ③大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压,


  ④大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。


  除以上参数外,还有极间电容、高频参数等其他参数。


  漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。


  栅极击穿电压结型MOS管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。


  安世半导体


  (4)使用时主要关注的MOS管参数


  1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。


  2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。


  3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。


  4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量MOS管放大能力的重要参数。


  5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,MOS管正常工作所能承受的大漏源电压。这是一项极限参数,加在MOS管上的工作电压必须小于BUDS。


  6、PDSM—大耗散功率。也是一项极限参数,是指MOS管性能不变坏时所允许的大漏源耗散功率。使用时,MOS管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。


  7、IDSM—大漏源电流。是一项极限参数,是指MOS管正常工作时,漏源间所允许通过的大电流。MOS管的工作电流不应超过IDSM。


  Nexperia MOS管功率MOSFET会在两个领域中作为主流的功率器件:


  1.要求的工作频率高于其他功率器件所能实现的高频率的领域,目前这个高频率大概是70kHz,在这个领域中功率MOSFET成为了选择,代表性下游应用包括变频器、音频设备等。


  2.要求工作频率在10kHz到70kHz之间,同时要求输出功率小于5kW的领域,在这个领域的绝大多数情况下,尽管IGBT与功率MOSFET都能实现相应的功能,但功率MOSFET往往凭借更低的开关损耗(高频条件下开关损耗的功耗占比更大)、更小的体积以及相对较低的成本成为优先选择,代表性的下游应用包括液晶电视板卡、电磁炉等。

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