臻稼汇科技(惠州)有限公司
服务热线:82927386
Banner
首页 > 行业知识 > 内容

NXP代理分享NXP安世的MOS管参数怎样看

编辑:臻稼汇科技(惠州)有限公司时间:2022-04-12

  NXP使用时主要关注的MOS管参数

  1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

  2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

  3、UT—敞开电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

  4、gM—跨导。是表明栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量MOS管扩大能力的重要参数。

  5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一守时,MOS管正常作业所能接受的较大漏源电压。这是一项限度参数,加在MOS管上的作业电压必须小于BUDS。

  6、PDSM—较大耗散功率。也是一项限度参数,是指MOS管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。使用时,MOS管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量。

  7、IDSM—较大漏源电流。是一项限度参数,是指MOS管正常作业时,漏源间所允许通过的较大电流。MOS管的作业电流不该超过IDSM。

  NXP MOS管功率MOSFET会在两个范畴中作为主流的功率器材:

  1.要求的作业频率高于其他功率器材所能完成的zui高频率的范畴,现在这个zui高频率大概是70kHz,在这个范畴中功率MOSFET成为了仅有的挑选,代表性下流使用包含变频器、音频设备等。

  2.要求作业频率在10kHz到70kHz之间,同时要求输出功率小于5kW的范畴,在这个范畴的绝大多数情况下,虽然IGBT与功率MOSFET都能完成相应的功用,但功率MOSFET往往凭借更低的开关损耗(高频条件下开关损耗的功耗占比更大)、更小的体积以及相对较低的成本成为首要选择,代表性的下游使用包含液晶电视板卡、电磁炉等。


地址:深圳市坪山区坑梓街道创兆产业园C栋  电话:82927386   手机:18929380761  电子邮箱:irina12@126.com

版权所有:臻稼汇科技(惠州)有限公司粤ICP备2020125583号手机版