NXP代理分享NXP安世的MOS管参数怎样看

　　NXP使用时主要关注的MOS管参数

　　1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

　　2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

　　3、UT—敞开电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

　　4、gM—跨导。是表明栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量MOS管扩大能力的重要参数。

　　5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一守时，MOS管正常作业所能接受的较大漏源电压。这是一项限度参数，加在MOS管上的作业电压必须小于BUDS。

　　6、PDSM—较大耗散功率。也是一项限度参数，是指MOS管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。使用时，MOS管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量。

　　7、IDSM—较大漏源电流。是一项限度参数，是指MOS管正常作业时，漏源间所允许通过的较大电流。MOS管的作业电流不该超过IDSM。

　　NXP MOS管功率MOSFET会在两个范畴中作为主流的功率器材：

　　1.要求的作业频率高于其他功率器材所能完成的zui高频率的范畴，现在这个zui高频率大概是70kHz，在这个范畴中功率MOSFET成为了仅有的挑选，代表性下流使用包含变频器、音频设备等。

　　2.要求作业频率在10kHz到70kHz之间，同时要求输出功率小于5kW的范畴，在这个范畴的绝大多数情况下，虽然IGBT与功率MOSFET都能完成相应的功用，但功率MOSFET往往凭借更低的开关损耗（高频条件下开关损耗的功耗占比更大）、更小的体积以及相对较低的成本成为首要选择，代表性的下游使用包含液晶电视板卡、电磁炉等。