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NXP代理分享Nexperia安世的MOS管参数怎么样看?

编辑:臻稼汇科技(惠州)有限公司时间:2022-01-06

 (1)MOS管首要参数

  饱满漏极电流IDSS它可界说为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。

  夹断电压UP它可界说为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

  敞开电压UT它可界说为:当UDS一定时,使ID抵达某一个数值时所需的UGS。

  (2)MOS管沟通参数

  沟通参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特别的可达100mS,乃至更高。

  低频跨导gm它是描绘栅、源电压对漏极电流的操控效果。

  极间电容MSO管三个电极之间的电容,它的值越小表明管子的性能越好。

  下面NXP代理为大家讲解安世半导体的基本状况

  (3)使用时首要重视的MOS管参数

  1、IDSS—饱满漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。

  2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

  3、UT—敞开电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

  4、gM—跨导。是表明栅源电压UGS—对漏极电流ID的操控才能,即漏极电流ID改变量与栅源电压UGS改变量的比值。gM是衡量MOS管放大才能的重要参数。

  5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,MOS管正常作业所能承受的较大漏源电压。这是一项限度参数,加在MOS管上的作业电压必须小于BUDS。

  6、PDSM—较大耗散功率。也是一项限度参数,是指MOS管性能不变坏时所答应的较大漏源耗散功率。使用时,MOS管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量。

  7、IDSM—较大漏源电流。是一项限度参数,是指MOS管正常作业时,漏源间所答应通过的较大电流。MOS管的作业电流不应超过IDSM。

  Nexperia MOS管功率MOSFET会在两个范畴中作为干流的功率器材:

  1.要求的作业频率高于其他功率器材所能完成的较高频率的范畴,目前这个较高频率大概是70kHz,在这个范畴中功率MOSFET成为了较好的挑选,代表性下游应用包含变频器、音频设备等。

  2.要求作业频率在10kHz到70kHz之间,一起要求输出功率小于5kW的范畴,在这个范畴的绝大多数情况下,尽管IGBT与功率MOSFET都能完成相应的功能,但功率MOSFET往往凭仗更低的开关损耗(高频条件下开关损耗的功耗占比更大)、更小的体积以及相对较低的本钱成为优先挑选,代表性的下游应用包含液晶电视板卡、电磁炉等。


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