NXP代理分享Nexperia安世的MOS管参数怎么样看？

　（1）MOS管首要参数

　　饱满漏极电流IDSS它可界说为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

　　夹断电压UP它可界说为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

　　敞开电压UT它可界说为：当UDS一定时，使ID抵达某一个数值时所需的UGS。

　　（2）MOS管沟通参数

　　沟通参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特别的可达100mS，乃至更高。

　　低频跨导gm它是描绘栅、源电压对漏极电流的操控效果。

　　极间电容MSO管三个电极之间的电容，它的值越小表明管子的性能越好。

　　下面NXP代理为大家讲解安世半导体的基本状况

　　（3）使用时首要重视的MOS管参数

　　1、IDSS—饱满漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

　　2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅MOS管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

　　3、UT—敞开电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

　　4、gM—跨导。是表明栅源电压UGS—对漏极电流ID的操控才能，即漏极电流ID改变量与栅源电压UGS改变量的比值。gM是衡量MOS管放大才能的重要参数。

　　5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，MOS管正常作业所能承受的较大漏源电压。这是一项限度参数，加在MOS管上的作业电压必须小于BUDS。

　　6、PDSM—较大耗散功率。也是一项限度参数，是指MOS管性能不变坏时所答应的较大漏源耗散功率。使用时，MOS管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量。

　　7、IDSM—较大漏源电流。是一项限度参数，是指MOS管正常作业时，漏源间所答应通过的较大电流。MOS管的作业电流不应超过IDSM。

　　Nexperia MOS管功率MOSFET会在两个范畴中作为干流的功率器材：

　　1.要求的作业频率高于其他功率器材所能完成的较高频率的范畴，目前这个较高频率大概是70kHz，在这个范畴中功率MOSFET成为了较好的挑选，代表性下游应用包含变频器、音频设备等。

　　2.要求作业频率在10kHz到70kHz之间，一起要求输出功率小于5kW的范畴，在这个范畴的绝大多数情况下，尽管IGBT与功率MOSFET都能完成相应的功能，但功率MOSFET往往凭仗更低的开关损耗（高频条件下开关损耗的功耗占比更大）、更小的体积以及相对较低的本钱成为优先挑选，代表性的下游应用包含液晶电视板卡、电磁炉等。